Jaminan yang diuji laboratorium BUK9Y59-60E SMD atau Through Hole IC CHIPS Integrated Circuits BUK9Y59-60E

Kualitas bagus.Komponen elektronikPenyedia dari ChinaGS Electronics,

BUK9Y59-60E - Rincian produk

Pengantar:
BUK9Y59-60E adalah MOSFET daya saluran N berkinerja tinggi yang dirancang untuk berbagai aplikasi power switching.MOSFET ini menawarkan efisiensi dan keandalan yang sangat baikApakah Anda merancang catu daya, sirkuit kontrol motor, atau sistem switching arus tinggi, BUK9Y59-60E memberikan solusi ideal untuk kebutuhan manajemen daya Anda.

Fitur Utama:

1. N-Channel Power MOSFET: BUK9Y59-60E adalah MOSFET N-channel, yang memungkinkan switching dan kontrol daya yang efisien dalam aplikasi sisi rendah dan tinggi.

2. Low-On-Resistance: MOSFET ini memiliki resistance on-on rendah (RDS ((on)) hanya beberapa milliohm, meminimalkan kerugian daya dan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.

3. Kapasitas penanganan arus tinggi: BUK9Y59-60E dapat menangani arus pembuangan terus menerus (ID) hingga 60A, membuatnya cocok untuk aplikasi bertenaga tinggi.

4. Tegangan Sempadan Gerbang Rendah: Dengan tegangan Sempadan Gerbang Rendah (VGS(th), MOSFET ini dapat dengan mudah didorong oleh sinyal tingkat logika,menyederhanakan desain sirkuit dan memastikan kompatibilitas dengan berbagai sistem kontrol.

5. Kecepatan Switching Cepat: BUK9Y59-60E menawarkan karakteristik switching cepat, yang memungkinkan konversi daya yang efisien dan mengurangi kerugian switching.

6. Avalanche Energy Rated: MOSFET ini diberi rating energi longsor, memberikan ketahanan dan keandalan dalam aplikasi yang tunduk pada transisi energi tinggi.

7. Paket TO-220AB: BUK9Y59-60E dikemas dalam paket TO-220AB, menawarkan disipasi panas yang sangat baik dan mudah dipasang.

Karakteristik listrik:

Untuk memberikan gambaran lengkap tentang karakteristik listrik BUK9Y59-60E, silakan lihat tabel di bawah ini:

Aplikasi:

BUK9Y59-60E MOSFET menemukan aplikasi dalam berbagai sistem manajemen daya dan switching, termasuk:

1. Sumber Daya: Mengintegrasikan BUK9Y59-60E ke dalam sirkuit catu daya, seperti konverter AC/DC dan konverter DC/DC, untuk mencapai konversi daya yang efisien.

2. Motor Control: Gunakan MOSFET ini dalam sirkuit kontrol motor untuk mengemudi motor dalam otomatisasi industri, robotika, dan kendaraan listrik.

3. High-Current Switching: Gunakan BUK9Y59-60E dalam aplikasi switching arus tinggi, seperti driver relay, kontrol solenoid, dan pencahayaan LED bertenaga tinggi.

4. Sistem manajemen baterai: BUK9Y59-60E cocok untuk sistem manajemen baterai, termasuk pengisi daya baterai dan sirkuit perlindungan baterai.

5. Sistem Energi Terbarukan: Gunakan MOSFET ini dalam sistem energi terbarukan, seperti inverter surya dan konverter tenaga angin, untuk konversi daya yang efisien.

6. Kontrol Industri: BUK9Y59-60E dapat digunakan dalam berbagai aplikasi kontrol industri, termasuk PLC (Programmable Logic Controllers), drive motor, dan sistem distribusi daya.

Harap dicatat bahwa fleksibilitas BUK9Y59-60E melampaui aplikasi yang disebutkan di atas.dan rendah pada resistensi membuatnya cocok untuk berbagai tugas power switching.

Kesimpulan:

BUK9Y59-60E MOSFET daya saluran N menawarkan kinerja dan keandalan yang luar biasa untuk aplikasi power switching.dan kecepatan beralih yang cepatPaket TO-220AB memastikan disipasi termal yang sangat baik dan kemudahan integrasi ke dalam berbagai desain sirkuit.Mengintegrasikan BUK9Y59-60E ke dalam sistem manajemen daya Anda untuk kinerja yang optimal dan peningkatan efisiensi energi.

Untuk informasi lebih lanjut, lembar data, dan dukungan teknis, silakan kunjungi situs web kami atau hubungi tim penjualan kami.

Amplifier,IC Manajemen Daya,Memori IC,MCU,Mikrokontroler,IC Pemerolehan Data,Prosesor tertanam,Clock Timing IC,IC antarmuka,IC Logika,IC Frekuensi Radio,Sensor,Produk semikonduktor diskrit,Komponen elektronik pasif

KunjunganUntuk informasi lebih lanjut, lihat: www.gselectro.comuntuk informasi lebih lanjut